Mosfet le ilgili teorik soru

[berkant erol]

Öncelikle herkese selamlar ,
konu başlığını doğru yere mi açıyorum emin değilim , zira çok aşina olduğum konular değil , ama umarım bir hata yapmıyorumdur.
Çözmem gereken iki teorik soru var ;
Mosfetlerde ;
1. Vds > Vgs-Vt ve Vgs > Vt ise Id akımı nedir ?
2. Vgs = 0 ise Id = ?

Saçma sapan bir başlık altına yazdıysam veya sitenin bu gibi sorularla hiç bir alaksı yoksa mazur görünü lütfen. Saygılar.

[ferdem]

Vgs=0 ise mosfet kesimdedir hiç akım akmaz, çok küçük kaçak akımı akar.
Vgs>Vt ise mosfet iletimdedir ancak doyumda olabilir veya olmayabilir, Vds > Vgs-Vt şartı doyumda olduğunu söyler diye hatırlıyorum. Aşağıdaki adrese bir göz atın, karışıklık olursa konu bu başlıktan devam eder.
http://en.wikipedia.org/wiki/MOSFET
İyi çalışmalar.

[berkant erol]

Vgs=0 ise mosfet kesimdedir hiç akım akmaz, çok küçük kaçak akımı akar.
Vgs>Vt ise mosfet iletimdedir ancak doyumda olabilir veya olmayabilir, Vds > Vgs-Vt şartı doyumda olduğunu söyler diye hatırlıyorum. Aşağıdaki adrese bir göz atın, karışıklık olursa konu bu başlıktan devam eder.
http://en.wikipedia.org/wiki/MOSFET
İyi çalışmalar.

2. durum için bende aynı şeyi düşünüyorum ama teorik olarak id nin nasıl çıkartıldığını bulmam lazım
Bulmam gereken sonuç şu  Id=K/2[Vgs-Vt] nin karesi
yardım için teşekkürler

[berkant erol]

IRFZ44 için Vt=2V
Vgs=12 desek.

Vds>12-2=10

Vds>10V ise mosfet iletime geçer. Gerçekte ise kimsenin geçiş anını incelediğini düşünmüyorum.

bizde deneysel olarak incelermiyiz bilmiyorum , bu hafta fetler üzerine bir deney yapıcaz ama mosfet deneyinde bunu yapacakmıyız bakalım
Zaten genelde işimiz teorik oluyor Id=K/2 [(Vgs-Vt) nin karesi] sonucunu ispatlmam lazım
Cevap için teşekkürler.

[z]

Vt=2V ve  Vgs=12 ile biaslanirsa.

12-2=10v

0<Vds<10v araliginda mos  iletimdedir ve lineer bolgede calismaktadir.

Vds>10V yapilirsa mosfet doyuma gider.

[ferdem]

O sonuç ispatlanmaz Berkant, o ifade doyumdaki mosfet için kullanılan basit bir model. VLSI tasarımcıları varken ahkam kesmek istemem ancak notlarıma baktığımda şunu gördüm: Drain akımını etkileyen çok fazla parametre var, tam doğru akım değeri ancak spice gibi simülasyon programlarıyla bulunabilir.  Id=0.5*(W/L)*mu*C/An*(Vgs-Vth)^2 ifadesi ise Id yi en çok etkileyen parametrelere göre oluşturulmuş basit bir model. Yani Id akımı W ile artlar, L ile azalır, (Vgs-Vth) nin karesiyle artar, mu:elektron mobility ile artar, C gate kapasitesi ile artar gibi gözlem ve bilgilere dayanarak oluşturulmuş bir model. Formüldeki parametreler Vgs hariç entegre tasarımıyla ilgili parametreler, bu elemanı alıp tasarımlarında kullanacaklara ise "saturation" da Id akımının (Vgs-Vth)^2 ile değiştiğini bilmek kalıyor. İyi çalışmalar, kolay gelsin.

[berkant erol]

evet dediğiniz gibi çok fazla parametreye bağlı ama  bende dün geceden beri fazlasıyla uğraşttım tam sonuç elde edemedim ,  ilginizi için teşekkür ederim , herkese , eğer ki sonucu çıkartabilirsem burada da paylaşırım.

[z]

Burada bahsettiginiz karmasa K icine atilabilir.

Id=K(Vgs-Vt)^2 oldugu bir sekilde ispatlanabilir.

http://media.wiley.com/product_data/excerpt/96/04714986/0471498696.pdf

[z]

K kismi tamam, bunun icine kanal parametreleri gizlenebilir fakat asil sorun akimin, Vgs-Vt nin karesi ile orantili oldugunu ispatlamak onemli.

Verdigim dokumandan da gorulecegi uzere isin bu kismi fizikcilerin alt edecegi turden karmasik.

[OG]

Vgs=0 ise mosfet kesimdedir hiç akım akmaz, çok küçük kaçak akımı akar.

Aslında bu tanım eksik. Bu olay enhancement tip mosfetlerde geçerlidir ve yaygın olan bunlar olduğundan mosfet hep böyle sanılır.

Depletion tiplerde Gate Source a göre belli bir miktar  - değer alırsa kesime gider ve ilk mosfet tipleri bunlardır. Karakteristiği lambalara benzer. Biz okulda iken enhancement tip yok idi. Yani yeni bir ürün ama MOSFET deyince artık o bilinir oldu.