50 adet RGB ledleri nasıl sürebilirim?

[timpati]

mosun source ucunu şaseye, seri bağlı dirençle ledi ise beslemenin artısıyla drain arasına bağlamalıydın

[emrah]

tamam oldu sourse ucu tum mosfetlerde bole sasemi olmalı? bilmedigim bir durum çok sagolun ...

[timpati]

hayır, sen "n" tipi kullanmışsın (şemadaki sembolde ok içeri doğru). bu tıpkı npn transistörün tetiklenmesi gibi         ( sadece sembolik gösterimi ters). diğer türlü olsa bağlantıda hata olmazdı ama bu kez de tetikleme sinyali, sıfırdan artıya çıkan değil, artıdan aşağıya (sıfıra) doğru giden bir işaret olmalıydı.

[emrah]

devrede   irfz 44N kullanmaya karar verdim fakat bu mosfeti pic ile sürerken gate ile pic in pwm çıkıslı pini arasına diren felan koymalımıyım ? yada daha saglıklı çalısması için ne kullanmalıyım ? 

[timpati]

100 ohm ile 1kohm arasında herhangi bir direnç koyabilirsin.

[satilla]

100 ohm ile 1kohm arasında herhangi bir direnç koyabilirsin.

mosfetlerin gate direnci cok yüksek
bu yüzden direnc koymaya gerek yok diye biliyorum

[emrah]

kafam karıstı şimdi, bu konuyu arastırırken baska bir forumdada şöyle yazılmıs.

konuyu açan kişi 330R kullandıgını söyüyor ve forum üyelerinden birinin cevabıda şu;

gate ile source arasında kapasite vardır, gateye baglı direnç kapasitenin dolup bosalmasının yavas olavagını söylüyordu ?

[pea]

Gate'e direnç genellikle garanti olsun diye , kapasitif etki azalsın diye vs konur.
Mosfet'in gate direnci çok yüksek olduğu için direnç eklemesen de o mosfet çalışır ama mosfet-pic arası belki sorun çıkabilir.

[iyildirim]

Mosfet bir alan etkili transistördür.

N kanal bir mosfet'i iletime sokmak için gate bacağına + gerilim uygularız. mosfet de gate bacağında olan şey ise adeta birkaç yüz pikodan, birkaç on nanoya kadar bir kapasitör gibidir. Bu kapasiteyi ne kadar yüksek bir gerilile doldurursanız mosun Rds-on denen iletim direnci o kadar düşer. Bu kapasite de depolanan gerilim belli bir değerin altına düştüğünde de mos iletimden çıkar.   mosu doğru kullanmak için yapılması gereken bu kapasiteyi izin verilen max gate gerilimine olabildiğince yakın gerilimle, olabildiğince kısa sürelerle doldurmaktır.

IRFZ44 de bu kapasitenin ne olduğunu öğrenmek için datasheetde "total gate capacitance" değerine bakmalısınız. Gate gerilimine göre Rdson değerinin ne olduğu da genellikle 5 ve 10V luk gate gerilimleri için verilir.
Burada gate geriliminden kastedilen gate ile source bacakları arasındaki gerilimdir. Bu örnekde source şaseye bağlı olduğu için direkt gate gerilimden bahsedebiliriz. Datasheetlerde gate gerilimi ile Rdson direnci arasındaki ilişki de grafik olarak verilir.
Eğer pwm uygulamıyor iseniz ve 1k gibi bir dirençle gate'i sürüyorsanız sadece ilk  anahtarlama sırasında rdson yavaşça düşer . Gate kapasitesi dolduğu için artık yüksek akım ihtiyacı kalmaz. Gate gerilimini tuttuğunuz sürece mos gate gerilimine göre doğru bir şekilde çalışır.
Ancak PWM uygulamanız durumunda mos sürekli olarak açılıp kapanacaktır. PWM frekansınız 1KHz olsa bile yükselen ve alçalan kenarların olabildiğince dik olmasını isteriz. Bunun nedeni yavaşça yükselme sırasında Rdson geriliminin de yavaşça yükselip azalmaması, olabildiğince sadece minimum değer ile  maximum değerde olmasını istediğimiz içindir. Yani ya sıfıra yakın yada sonsuz diençde olmalıdır. Ara bölgede olabildiğince kalınmamalıdır. Buda mosun gate kapasitesini nanosaniyeler mertebesinde olabildiğince kısa, sürelerle doldurup boşaltmayı gerektirir. gate kapasitesi 1kaç nano bile olsa bunu 20-50ns içerisinde doldurmak, anlık birkaç amper akım gerektirir. Buda mosfet sürücülerin neden varolduğunun cevabıdır.

Gate bacağına konan direnç daha çok sürücü devreyi korumak amaçlıdır. Bu direncin değeri de bu örnekde sürücü olan PIC'in verebileceği max akıma göre seçilmelidir. pic'in ilgili pini 10mA verebiliyorsa 5V besleme için min 500R.


Bu mos  high side da çalışıyor olsaydı, yani yük sourcedan sonra bağlı olsaydı, mosun iletime geçmesiyle birlikte akan akım yük üzerinde bir gerilim oluşturacak ve source gerilimi yükselecekti. bu da eğer sabit bir gate gerilimi kullanıyorsanız, gate-source arasındaki gerilimin düşmesine ve Rdson direncinin yükselmesine ve ısınmaya neden olacaktı. Veya hiç iletime geçmeyecekti. Bu şekilde bağlanmış ilk örneğin çalışmama nedenide bu.
Öte yandan Gate-source voltajı çoğu mosda, nerdeyse hepsinde 20V üzerinde olamaz. Bundan dolayı gate-source  gerilimini daima gereken seviyede tutmak için high-side da floating veya boost yöntemlerle elde edilmiş gerilimle gate anahtarlanır.

[emrah]

anlatımınız için teşekkürler daha iyisi olamazdı.