half bridge güç kaynagı hakkında yardımınıza ihtiyacım var.

[rercan]

arkadaşlar uc3525 ile kullandıgım bir gdt var 1:1:1 oranında sarılmış . bir sargısını primer diger iki sargısını sekonder olarak kullanmaktayım.



bu devre ile ilgili bir kaç takıldıgım nokta var.

su noktada katkı saglayacagını düşündüğünüz fikirlerinizi paylaşabilir misiniz ?

devrenin gücü yaklaşık 2kw civarı olacak.(60 v 30 amper ) o yüzden biraz çekiniyorum.
igbt ler içersinde diyotludur ancak (şemada yok ama frekansa göre ekleyecegim )snubbera harici diyot eklemelimiyim ?
igbt gate source arası zenerler dışında neler ekleyebilirim. mesela transistörlü devre hızlı deşarjında yararlı olabilecegini düşünür müsünüz ?
gdt çıkışında +-15 volt civarı bi kare dalga izliyorum. acaba tek yönlü mü kullanılmalı bilemiyorum  sadece + 15 mesela .ancak bir yandan da +15 de sarj olan gate - 15 de deşarjı hızlı saglar düşüncesindeyim .  yanlışlarım varsa lütfen düzeltiniz.

anahtarlama sırasında duty cycleım değişken olacak yani regülasyonda kullanmak için % 50 ila yüzde 10 arası. akım sınırlama da kullanmak amaçlı . yani kısadevre akımını sınırlayacagım. bu durumda hızlı bir geribildiirime igtiyacım var bunu da yine  primer hattına  baglı akım trafosu ile saglayacagım. ( her ne kadar hızlı olmasa da )  bu akım trafonunda sekondere hızlı diyotlarla dc ye cevirip hata amplikatörlerine yollayacagım.   bu bölümde dogrultma bölümünü tam dalga dogrultma yaparak verecegim sizce sıkıntı yaratır mı ?

birde şebeke tarafında benim için önemsiz olan emi durumu  devre içersinde  cok gerekli midir ? 

bu noktalarda beni aydınlatırsanız çok memnun olacagım .

teşekkürler.

[z]

Bu yapıda zaten üst Mos yada IGBT"nin Source/Emetor ucundan GND'ye,
alt MOS yada IGBT"nin Drain/Kollektorunden de VCC ye harici diyod bağlamak zorundasın.

Eğer IGBT yada Moslarına, kendi iç diyodundan daha hızlı ve eşik değeri düşük diyod bağlama şansın varsa bu diyodlar sayesinde anahtarının sıcaklığında düşüş sağlarsın.

Gate dirençlerine paralel bağlayacağın kapasitler sürüşü bir miktar daha iyileştirir ama zenelerlerle birlikletiliği sorun da yaratabilir.

[rercan]

bu diyotların akım ve voltaj değerleri ne olmalıdır. sanırım ters emk lı sönümlemek için diyorsunuz. ki tahminimce bu da yaklaşık 10 amperlik diyot olabilir .gerilim degeri ise peak durumlar göz önünde bulunursa 600 v mu demeliyiz .yada 200 voltluk diyotlar yeterli olabilir mi ?  yönleri nasıl olabilir. eger ortak katod ile halledebilecek isem tek paket hızlı diyotlarım mevcut mesela dsek60-12a 

sanırım şöyle...( bu durumda ortak katod işi olmuyor )
edit: resim eklendi.

[z]

350V ile çalıacaksan bu diyodlar en az 500v olmalı. Trafonun kaçak endüktansından dolayı ve nüveye yüklenen enerjinin tamamı sekonderden asılınmadı ise gerisin geriye beslemeye iade etmek için kullanılmak zorunda.

Yönleri şemadaki gibi.

[rercan]

teşekkür ederim.bu şekilde bir deneyeyim .
son bir şey daha , yukarıdaki devrede g-s arası kullanılmış transistörün faydası nedir diye sorabilir miyim ?

[z]

IGBT leri OFF yapan palsın süresi yeterince uzun değilse yada bu peryoddaki voltaj değeri yüksek değilse, Gate Emetor arasında depolanmış yükler OFF peryodunda trafodan gelen negatif polaritedeki voltajla boşaltılamayabilir.

Bu durumda şemadaki gibi düzenekle trafo, negatif voltaj verdiğinde Gate Source arasındaki transistörü iletime geçirerek bu yükleri boşaltır.

Gate emetor arasındaki iç kapasitörü transistor ile kısa devre etme işlemi yapılıyor.