Mosfet guc kaybı

[ofk58]

Merhabalar.Mosfet iletimde iken iletim guc kaybı P=Vds*Id  ve P=Rds(on)*Id^2  olarak 2 tane farklı formulle karsılastım.Fakat anlamadıgım,Vgs=10V ,Id=25A için irfz44 datasheetinde Rds(on)=0.024ohm  yazılmış.Mosfetın doyumda calısması ıcın Vds>Vgs-Vt olması gerektıgınden atıyorum Vds=6V olsun,
P=6*25=150W,diğer formule gore P=0.024*(25)^2=15W çıkıyor.Bu formullerın 2sı arasındakı fark nedir?

[JKramer]

Neye göre Vds=6V olsun dediniz?

[ofk58]

Vgs(th) datasheette 2V ile 4 V arası yazılmıs.Doyum sartı ıcın Vds>Vgs-Vth olması gerektıgınden Vgs=10V  .Vds=6V u  ornek vermek acısından yazdım.

[pisayisi]

Katalogdaki Rdson direnç değerleri en ideal şartlar için tanımlanmıştır. 15w olarak hesapladığınız ideal şartlarda geçerli , buna ulaşabilmek için gate gerilimin kataloğun izin verdiği en yüksek değerlerde olmalıdır. 150 wat olarak hesapladığın formülde pratikte sürekli durumlarda Vds yi 6 voltlarda tutma imkanın zorlanmış bir devre kurmadıkça mümkün görünmüyor...

[ofk58]

cevabınız ıcın tesekkurler.Mosfetlerle ılgılı bazı sorularım olcak.1)Rds(on) Vds gerilimine baglımıdır?  2)Bjt lerde yukseltec tasarlarken lıneer bolgede calısıyoruz,bjt yı anahtarlama elemanı olarak kullanırkenede doyum bolgesınde hesap yapıyoruz yanı ayrı bolgeler ve doyumdakı avantaj  Vce yaklasık sıfıra yakın oluyor ve ıletım kayıpları cok azalıyor,mosfetlerde ıse hem yukseltec hemde anahtarlama elemanı olarak kullanırken doyum bolgesı secılıyor.Sorum,mosfetlerde anahtarlama  yaparken doyum bolgesının secılme avantajı nedır?