Transistör hesabı...?

[CaFFeiNe]

Bağlantı da bir problem yok.. Gerilim bölücü hesabından haberin var ise
bu hesap ile yapabilirsin, eğer yok ise bir sonraki mesaj da onuda açıklarım..

benim bildiğim hesap ilk mesajımdaki gibi bir hesap, green arkadaşınkide aynı hesap sanıyorum

bahsettiğin gerilim bölücü hesabını yazabilirmisin? basit bir konu gibi görünüyor bu transistör polarması ama bilmediğimiz birşey varsa öğrenmek isterim gerçekten

[dr_f]

cevabınızdan bir anlam çıkartamadım ?

Tr. lerin bozulması anlamına gelen bir cevap yazdım ama..

[dr_f]

Bir transistörün anahtar olarak kullanılması demek kesim ve doyum bölgesinde demektir. Bunun içinde Ic>=Beta.Ib olmalıdır. Ib değerini hesaplar iken Ib=(Vcc-0,7)/Rb formülü kullanılır. Bu formülde 0,7V olarak aldığımız değer transistörün Vbe değeridir. Devrede R3 ve R4 dirençleri Vbe polarmasını sağlayan dirençler ise bu dirençlerin uçlarındaki gerilimler baz polarmasını sağlıyor ise VR3= 12*10K/(1K+10K) =10,9V olmaktadır.

Eğer burada   tr. anahtar olarak kullanılmak için bir hesap yapılması gerekiyor ise bağlantılarda ki baz dirençleri uçlarındaki gerilimler fazladır.

Yukarıdaki hesapların yanlışlığı diye bir durum yok.. Fakat baz dirençlerinin seçimindeki yanlışlığı göz önüne getirmek istedim..

Şayet bu yazdıklarımda bir hata var ise onu da  belirtirseniz sevinirim..

[Veli B.]

Arkadaşlar sadece base konusuna takıldık ki oda muallakta kaldı. Peki emitter ve collector konusunda ne yapmalıyım.
SAdece direnç değil bazı devrelerde görüyorum.Collectorden base' e ve bazen de emitterden base bir kapasite konuluyor.Neden?
tabi sırasıyla gidelim.
Mesela benim de kafama takıldı. O iki lambadan hangisi daha iyi sonuç verir Üstad.

[GreeN]

Bir soru; resimdeki L1 ve L2 den hangisi daha parlak/verimli yanar ?

Bence ikiside aynı.Akım Kazançları ve polarma gerilimleri aynı.

[GreeN]

Collectorden base' e ve bazen de emitterden base bir kapasite konuluyor.Neden?

Dostum transistörlerin AC yönünden incelenmesine girdik.Şunu bir hallettik mi?

[GreeN]

Bir transistörün anahtar olarak kullanılması demek kesim ve doyum bölgesinde demektir. Bunun içinde Ic>=Beta.Ib olmalıdır. Ib değerini hesaplar iken Ib=(Vcc-0,7)/Rb formülü kullanılır. Bu formülde 0,7V olarak aldığımız değer transistörün Vbe değeridir. Devrede R3 ve R4 dirençleri Vbe polarmasını sağlayan dirençler ise bu dirençlerin uçlarındaki gerilimler baz polarmasını sağlıyor ise VR3= 12*10K/(1K+10K) =10,9V olmaktadır.

Eğer burada   tr. anahtar olarak kullanılmak için bir hesap yapılması gerekiyor ise bağlantılarda ki baz dirençleri uçlarındaki gerilimler fazladır.

Yukarıdaki hesapların yanlışlığı diye bir durum yok.. Fakat baz dirençlerinin seçimindeki yanlışlığı göz önüne getirmek istedim..

Şayet bu yazdıklarımda bir hata var ise onu da  belirtirseniz sevinirim..

Dostum mantık olarak doğru gibi ama yanlış.Transistorün BE giriş empedansını unuttun.

[Veli B.]

tabi sırasıyla gidelim.

[dr_f]

Sayın GreeN, transiströrün be giriş empedansı diyorsunda biz şu anda dc analiz yapıyoruz. Giriş empedansını hesaba kattığımızda ac sinyal analizine girmiş olacağız.. Zira transistörün hie parametresi olarak anılan giriş empedansı transistör modellemelerinde karşımıza çıkar ki bu hesaplamalar ile baz dirençler ile birlikte Zi, Zo, Av gibi değerlerde hesaplanır.. Dolayısıyla bir transistörün anahtar olarak kullanılması mevzusunda giriş empedansını göz önüne almaya gerek yok. Transistörün b-e bölgesi bir diyot gibi ise ve diyot iletimi 0,5-0,7V arasında değişiyor ise transistörün tam sürülmesi b-e diyodunun tam iletimi ile mümkündür. Bunun içinde 0,7V. yeterlidir.. Olayda şunu düşünürsek belki daha kolay olur.Bir Si diyota bir direnç ile gerilim uygulayalım.Diyot uçlarında dirence bağlı olarak tam iletimde 0,7V. düşer. Diyot uçlarında 0,7V tan daha fazla gerilim okuyabilirmiyiz???

[Veli B.]

Transistorün BE giriş empedansını unuttun.

Biraz açıklarmısın bu noktayı anlamadım.

[GreeN]

Dostum beni yanlış anladınız.(ben anlatamadım) :roll:
Giriş Direnci olsun.Baz emiter arasında bir direnc söz konusu değilmi? Ve iletime geçmiş bir transistor.Orada düşen gerilim 0.7 volt olmuyormu(yaklaşık olarak) Gerilim bölücü dirençler var.Ama eşit olarak bölünmez.

Ornek1
Ornek2

[Veli B.]

Ben base emitter arasında bir direnç değil, pn yada np bir yapı var diye biliyorum, silisyum tabanlı. Bu sebeplede base emiter arasında 0,7 voltluk bir eşik var.Jonksiyon etkisini bertaraf etmek için 0.7 volt kayıp veriyoruz.Bu direnç değil diyot etkisi sebebi ile.
Yanlış mı biliyorum acaba :!: ?

[GreeN]

Tamam dostum orası bir diyot ama orada ölçülen bir değer olarak direnc yokmu?

[Veli B.]

Hayır orada bir direnç yok
eğer ölçü aleti için diyorsan bu gerilim düşümü hesabı yaptığı için direnç gibi gösteriyor ama aslolan diyot barier yüzünden 0.6-0.7 volt düşüm.

[GreeN]

Şöyle anlatayım Seri 2 direnç var. 2 direç üzerine düşen gerilimin aynı olması için akan akımların aynı olması gerekli. Ama alttaki dirençte akım 2 ye ayrılıyor. biri 2.dirence diğeri transistorden geçiyor.Buda 2.direnç üzerinde daha az gerilim düşmesine sebep olur.yani aslında 1k 10k dirençlere 1v 10v (sallıyorum) gibi dir gerilim düşmez. aksine orada
10k üzerinde 0.7(değişir) v  1k üzerinde 11.3 volt düşer.