Mosfet Bilgisi

[Erkan Gench]

Merhaba. Mosfetler hakkında öğrendiğim şeyleri buraya parça parça yazarak sonunda bir makale oluşturmayı düşünüyorum.

Vakit buldukça buraya eklemeler yaparak sonuçta mosfetler hakkında güzel bir dökümanımız olsun istiyorum. Lütfen sizde konuyla ilgili bilgilerinizi paylaşın hep beraber güzel bir iş çıkaralım.

[Erkan Gench]

MOSFET Parametreleri:

rds(on) (Ohm):
Bu değer MOSFET iletimdeyken source ve drain uçları arasındaki direnci gösterir. Bu değer ne kadar küçükse MOSFET üzerinde düşen gerilim o kadar az olur böylece daha az ısınır ve daha fazla güç sağlıyabilir. Ayrıca taşıyabileceği akımda bu değerin düşüklüğüne bağlı olarak artar.

r: direnci temsil eder
ds: drain source arasında olduğunu belirtir.
(on):bu değerin cihaz iletimdeyken olduğunu belirtir.

Id(max) (A):
Bu değer drain ve source uçları üzerinden akabilecek akımın maksimum değerini belirtir. Bu değer cihazın kılıfına ve Rds(on) değerine bağlıdır. Ayrıca ısı gibi çeşitli faktörlerle değişebilir. Datasheetlerde genellikle en uygun koşullar altındaki değer verilir yani bu değer çoğu zaman verilenden daha düşük olacaktır.

Pd (W):
Bu değer cihazın taşıyabileceği maksimum gücü gösterir. Daha çok kılıf yapısına bağlıdır.

Linear derating factor (W/C):
Bu değer az önce verilen Pd değerinin cihazın sıcaklığı oda sıcaklığını aştığında (25 C) her derece başına ne kadar düşürülmesi gerektiğini gösterir. Yani diyelimki bu değer 2W/C ve Pd değeride 150Watt eğer cihazın sıcaklığı 30 derece olursa oda sıcaklığı 5 derece aşılmıştır bu durumda 5*2=10Watt Pd değerinden düşülmelidir. Yani artık cihaz 150W değil 140W taşıyabilir.

VGS(th) (V):
Bu değer MOSFET'in iletime geçmesi için gate ve source uçları arasına verilmesi gereken minimum gerilim değeridir. Tamamen iletime geçmesi için daha fazla gerilim gerekir.

Şimdilik bu kadar aslında önce temel bilgilerin verilmesi uygun olurdu ama belirli bir düzen takip etmiyorum onlarıda daha sonra hallederiz artık.

Yanlışımı görürseniz lütfen düzeltin. Desteklerinizi bekliyorum.

[CaFFeiNe]

verdiğiniz bilgiler gerçekten çok güzel devamını bekliyoruz
P ve N kanallı mosfetlerin basit anahtarlama için bağlantıları gibi

[ground]

Bu yazı makale olsa çok güzel görünebilir...  

[aster]

Hocam makalene katkısı olabilir
http://documentation.renesas.com/eng/products/transistor/apn/rej05g0001_pmf.pdf

[Erkan Gench]

Aster hocam çok sağolasın gerçekten güzel bir dökümana benziyor.

bu makale aklımda merak etme vakit bulunca devam edicem.

arkadaşlar aklınıza gelen mosfetlerle ilgili ne olursa buraya ekleyin lütfen herşeyi devletten beklemeyin

ingilizce bilen arkadaşlar aster hocanın gönderdiği dökümandan ufak tefek çeviriler yapsada olur. konu çok önemli değil.

zaten bu konuda yazı yazmamın sebebi bu konuyu iyice pekiştirmek. öğrenmenin en iyi yolu başkalarına öğretmektir.

[aster]

Sağol hocam,
Evet çeviri yapabilirim diyen arkadaşlar lütfen bana özelden ÖM atın
bir bölüm açıp bu çeviri konusunu orada konuşup paylaşalım bekliyorum

[Erkan Gench]

MOSFET Parametreleri 2:

Avalanche Energy EA(on) (mJ): Bu değer MOSFET'in avalanche (çığ) koşulları gerçekleştiğinde ne kadar enerjiye dayanabileceğini gösterir. Çığ koşulları maksimum drain-source arası gerilim miktarı aşıldığında gerçekleşir bu durumda MOSFET üzerinden hızla akım akmaya başlar. Ancak bu değer ile belirtilen maksimum enerji miktarı aşılmadığı sürece bu durum MOFSET üzerinde kalıcı bir hasar meydana getirmez. Enerji miktarı Güç*Zaman formülü ile bulunur.

Peak Diode Recovery dv/dt (V/ns):

Bu değer mosfet içindeki diyotun kapalı durumdan (ters polarmalı) açık duruma (iletim) geçişinin ne kadar süre alacağını belirtir. Bu süre diyot üzerinde ters polarmalı olarak ne kadar voltaj olduğuna bağlıdır. Bu değerden geçecek zamanı şu formul ile hesaplarız ters gerilim/peak diode recovery Yani diyot üzerinde 60V var iken bu değerde 5V/ns ise diyotun iletime geçmesi 60V/5V/ns=12ns zaman alacaktır.

Drain to source breakdown voltage Vdss(on) (V) :

Bu değer MOSFET  iletimde değilken Drain ve Source uçları arasında olabilecek maksimum gerilim miktarını verir. Eğer bu değer aşılırsa MOSFET çığ koşullarına girer ve maksimum enerji miktarıda aşılırsa bozulur.

Gate Threshold Voltage Vgs(th) (V):

Bu değer MOSFET'in iletime geçmeye başlaması için Gate ve Source terminalleri arasına uygulanması gereken minimum değerdir. MOSFET'in tam olarak iletime geçmesi için daha fazla gerilim verilmesi gerekmektedir. Tam olarak iletime geçmesi için gereken değer genelde 10 Volt'tur

Input Capasitance Ciss(th) (pf):

Bu değer MOSFET'in Gate ile Source ve Drain terminalleri arasındaki toplam kapasite değeridir. Gate ile Drain arasındaki kapasite oldukça önemlidir.


Yanlışımı görürseniz lütfen düzeltin. Eksiklerimi görürseniz lütfen ekleyin.

[microman]

MOSFET Parametreleri:
...
VGS(th) (V):
Bu değer MOSFET'in iletime geçmesi için gate ve source uçları arasına verilmesi gereken minimum gerilim değeridir. Tamamen iletime geçmesi için daha fazla gerilim gerekir.
...
Gate Threshold Voltage Vgs(th) (V):

Bu değer MOSFET'in iletime geçmeye başlaması için Gate ve Source terminalleri arasına uygulanması gereken minimum değerdir. MOSFET'in tam olarak iletime geçmesi için daha fazla gerilim verilmesi gerekmektedir. Tam olarak iletime geçmesi için gereken değer genelde 10 Volt'tur
....

p-kanal bir mosfet ile yaptığım denemelerde şunu gördüm, GATE ucuna source ile aynı seviyede bir gerilim verdiğim zaman mosfet tıkamaya giriyor yani source' dan draine doğru bir akım akmıyor. GATE ucunu toprağa çektiğim zaman mosfet iletime giriyor ve led yanıyor, yani gate ucu ile source ucu arasındaki  gerilim farkı belirli bir seviyeye geldiği an mosfet iletime geçiyor, bu fark her mos için farkı oluyor.
bu durumda p-kanal mosfet için yukarıda söylenen yanlış olmuyormu yani iletime sokmak için gate ucuna   belirli bir gerilim uygulamak gerekmiyor source ucuna  uygulanan gerilim seviyesine göre tetiklemek gerekiyor.
mosfetlerde bjt'ler gibi akımı her zaman tek taraflımı akıtıyorlar, yani p-kanal mosfet iletimde iken akım herzaman source'dan draine doğrumu akar, yoksa source ve draini kutuplamamıza bağlı olarak bu akış yönüde değişebilirmi?

 

[Subzero]

güzel çalışma, devamını dilerim, teşekkürler.

[CoşkuN]

Çalışmanız için çok teşekkürler.
Bu makale de yardımcı olabilir belki:
http://www.hemenpaylas.com/download/240345/mosfets.pdf.html

[ana_log]

peki picle mosfetleri nasıl surebileceğimiz hakında bir bilginiz var mı?
orneğin 5Alik akım çeken bir ampulu(duzeltme:ampul derken yuksek akım çeken herangibir dc eleman anlamında, transistor led benzetmesi açısından aklıma geldi) açıp kapatmak istiyoruz. n channel mosfetin Vgs eşik değeri genelde 4V oluyor. picin portunu mosfetin gateine direk bağlamamız işimizi gorurmu? veya araya ne kadarlık bir direnç koymalıyız. şu an çizemiyorum ama

                                   mosfeet drain--24 volt
pic--direnç-mosfet gate--
                                   mosfet source-- ampul--direnç--ground

burda picten sonraki direncin değeri çok önemlimi?,transistorlerde i base akımını ic/hfe den yaklaşık ne olması gerekiğini bulabiliyoruz ama mosfetlerde ne kazanç kavramına denk geldim , nede datasheetlerde gate akımının on durumunda ne olduğunu bulabildim.

saygılar.

[trademy]

acaba bu mofsetlerin sağlamlık kontrolunu nasıl yapabiliriz..
bilgisi olan arkadaşlardan yardım bekliyorum.

[aster]

MOS - IGBT - Tristör nasıl Ölçülür -Test edilir?
http://picproje.org/index.php/topic,12987&postdays=0&postorder=asc&start=0

[Fixxer]

Aster hocam bu konun çok faydalı olduğunu düşünüyorum keşke moslar hakkında paylaşabileceğim şeyler olsaydıda ekleme yapsaydım.Sizin verdiğiniz bir pdf i inceliyorum bu sıralar  mos sürücüler hakkındada bilgi sahibi olmaya çalışıyorum. Bu konu hakkında bilgi vericek arkadaşlara sesleniyorum mosfetleriii anlatıınn bizee
:arrow: Geçenlerde mosfet patlattım inanmazsınız belki rüyama girdi ve gecenin bir yarısı uyandım. 8O