Transistörün(BJT) doyum(saturation) modunda anahtarlanması

Başlatan mfurkan7, 22 Nisan 2016, 23:02:30

mfurkan7

Merhabalar, benim bir sorum olacaktı. NPN ya da PNP transistörün doyumda anahtarlama elemanı olarak sürülmesi için ne yapmam gerekmektedir. Kaç volt ile beslemem gerekir?

mehmet

Kollektörden akması istenen akımın, transistör hFE
değerine bölünmesi ile beyz akımı bulunur. Bu beyz akımından
fazla akıtabilmek için gereken beyz gerilimi transistörün doyuma
ulaştığı nokta diyebiliriz...
Olan olmuştur,
olacak olan da olmuştur.
Olacak bir şey yoktur.
---------------------------------------------
http://www.mehmetbilgi.net.tr
https://creativecommons.org/licenses/by/4.0/deed.tr "CC BY"

mfurkan7

Pratikte bunu nasıl yapabilirim. Örnek verebilir misiniz?

asma

Alıntı yapılan: mfurkan7 - 23 Nisan 2016, 01:31:22
Pratikte bunu nasıl yapabilirim. Örnek verebilir misiniz?
Merhaba
Örnek uygulamayı siz verirsiniz , sayısal örnekle cevap verilir.  ;)
Mesela 12V / 5W halojen ampul , npn transistöre kollektör yükü olarak bağlı olsun. Yükün bir ucu +12V , emiter ise gnd ye bağlı.
Şimdi bunu 5V ile çalışan dijital çıkışla yakıp söndürmek veya dimşemek için çıkışımız ile transistörün beyzi arasına bağlayacağımız direnci seçelim.
* buraya kadar olan öneriyi sizin vermeniz daha doğru olurdu.
Yük akımı bize istediğimiz max. kollektör akımını verir. P=U/I. I= 5/12= 416mA
Kullanıcağımız transistör bu akımı rahat karşılamalı. BD135 olabilir.
Seçim sonrası transistörümüzün hFE değerini bulmalı ya da ölçmeliyiz. (ölçtüm : 80 çıktı )  :)
Ib = Ic/hFE  416/80 = 5,2mA
5V-0,7=4,3V Vr değerimiz. Vr/Ir=R  1,2k değeri bu işi sağlıyormuş. Ama biz mutlaka daha yüksek beyz akımı kullanmalıyız. Standart değer olan bir kademe düşük 1k direnç kullanmamız yerinde olur.
Soru: transistörümüzün Ibmax değerini aşıyormuyuz? Hayır.
Soru: transistörün harcadığı güç ne kadardır , soğutucu bağlamalımıyım?
1A de 0,5V  bu işi yaparken ise 0,3V civarı bir Vce oluşur. P=VxI ise 0,3 x 0,4 = 0,12W yapar soğutucuya gerek yok.
Transistör seçiminde low-sat ve Hi-hFE özelliği olan transistörler tercih edilebilir.
Bu gibi işlerde (anahtarlama elemanı) bjt yerine mosfet tercih edilir , düşük voltajlı kontrol gerilimi kullanılıyorsa ilave devre elemanı yada lojik girişli mosfet kullanılabilir.
Ben biraz bakınıp BD135 ile aynı fiyata 2SC3852 buldum , aynı sitede yakın fiyata smd  IRRML2502 buldum.

Örneği siz verseydiniz , yalnız hesap yöntemi değil uygulama örnekleri verilir , sizin için daha faydalı olurdu.  ;)

Kolay gelsin.


mfurkan7

Hocam Allah razı olsun.  :) Şuanda basit bir bjt anahtarlama projesi düşündüğüm için örnek veremedim. Ama bu işlemleri yapınca bjt doyumda anahtarlanacaksa, olayın mantığını anladım. Çok teşekkürler.