Mosfet drain direnci

[vardal57]

Arkadaşlar merhaba
Mosfet drain direnci neye göre hesaplanır ?
Mesela Source yi gnd ye çektiğimi düşünürsek
Drain e 0.01 R seri direnç attığımıda düşünürsek
Draindeki anahtarlama voltajım 100 vdc gibi düşünelim
Anahtarlama frekansım 50 hz
Burada emiter source arası kaçak endüktans ne olur ve emiter source arası kaç volt gerilim düşümü olur desem ?

[tunayk]

Mosfetin drain direncinin ne amaçla kullanılacağına göre hesap değişir.
Eğer bir güçkaynağını yüklemek için bu işi yapacak iseniz, Basitçe Volt/Max Akım dersiniz bu size bir değer verir.  Mosfetin iç direnci çok daha küçük olduğundan bu uygumada ihmal edilebilir.
Mosfet üzerinden geçen akımı ölçmek için ise farklı kriterler işin içine girer. 
Sadece Mosfet ve Direncin var olduğunu bilmek ile kaçak hesaplanmaz. Ne yapmaya çalışıyorsunuz şemasını verin en azından.

[vardal57]

Diyelimki direncin ne kadar ısınacağını test etmek istiyorum otomatik olarak burada kaçak endüktanslar oluşacak bu kaçak endüktanslar ne seviyede olur ? bunun bir formülü varmıdır mesela
100 vdc kaynak voltajından yola çıkarsak

[HexfeT]

Mosfetin Drain direnci diye standart bir mevzu yok. Drain'de direncin işi ne? Uygulamanız böyle bir şeyi gerektiriyorsa paylaşın ki fikir yürütülsün.
Drain'e 0.01Ohm direnç atıp 50Hz ile anahtarlarsanız fet patlar.
Emiter source arası kaçak endüktans derken source tamam da emiter ne?

[vardal57]

Fet neden patlar üzerine çok fazla kaçak endüktans ve akım bindiği içinmi ? mesela böyle bir uygulama yaptım
Fet in üzerine aşırı derecede kaçak endüktans biniyor yani şöyle söyliyim fet in üzerinde E-S arası 400 vdc leri bulan pikler oluşuyor ama anahtarlama voltajım 100 vdc
Merak ettiğim konu şu fet in Sourcesindeki direnç değeri minimum ne olmalı ?

[Yuunus]

Akim sense direnci olarakmi kullanacaksin 0,01 ohm'u, eger oyleyse draini de vcc ye cekersin mosun gate voltajini threshold seviyesine kadar artirip bu noktadan sonra direncten akim akmaya baslar olcum alabilirsin lakin gate voltaji ile akim arasinda duzgun bir korelasyon kurmak istiyorsan, gate voltajini gate-gnd ye vermek yerine gate source arasina uygulamalisin n-ch mos icin bu yazdiklarim. Uyari bu islemi yaparken voltaji dusuk tut 10-20v gibi ve guc kaynagin da akim ayarli olsun aksi halde kaynak kisadevre olabilir, mos patlayabilir.

[tunayk]

Fet neden patlar üzerine çok fazla kaçak endüktans ve akım bindiği içinmi ? mesela böyle bir uygulama yaptım
Fet in üzerine aşırı derecede kaçak endüktans biniyor yani şöyle söyliyim fet in üzerinde E-S arası 400 vdc leri bulan pikler oluşuyor ama anahtarlama voltajım 100 vdc
Merak ettiğim konu şu fet in Sourcesindeki direnç değeri minimum ne olmalı ?

DC kaynak ve FET arasında kalan hatta bulunan kablo, bobin etkisi gösteren sarımlı direnç vb. elemanlar kaçak endüktans oluşturur. Lakin gördüğüm kadarıyla, diğer arkadaşların da benim de anlamadığımızı nokta siz aslen neyi anahtarlıyorsunuz?
Anahtarlanan asıl eleman bir trafo mu? Bobin mi? Buck/Boost converter mi? Ne yapıyorsunuz bir şema verseniz o zaman daha kolay olacak.
400V pik te oluşur 1000V ta oluşur. Devre saf rezistif olmadıktan sonra illaki indüktans ve buna bağlı olarak anahtar açıldığında akım akacak yol bulana kadar anahtar uçlarındaki gerilim artacaktır. Snubber konusuna bir göz atın.
Malzemenin patlamasının türlü sebepleri var. Sadece piklere bağlanamaz.