Mosu GS arasindan delmek.

[Zoroaster]

Vgs dayanimi 30v olan bir mosun gate source arasina 1MOhm uzerinden 50v uygularsak gate source arasinda kac volt olculur?

Bu mos saglam kalirmi?

[muhendisbey]

Kalmaz cortlar. Kapasitörü düşün. 35v luk kapasitöre 1M ohm üzerinden 60v uygularsan yine de delinir. Sonuçta akım akmadığı için sadece şarj deşarj eğrisi uzamış olur. Bu delinmeyi engellemez.


Bak ama BJT akım tetiklemeli olduğu için birşey olmaz.

[OptimusPrime]

nedense bana birsey olmazmis gibi geliyor. yani mos saglam kalir, gate source arasinda 30V civari birsey gorursun. fakat mos un bundan sonraki hayati tartismaya aciktir. baya stres altinda kaldigindan psikolojisi bozulabilir. erken yaslanip olme ihtimali artar. bence.

[Yuunus]

1M bence bozmak icin yeterli degil her ne kadar mos voltaj bazli calissada bozmak icin biraz akim akitmak gerekir diye salliyorum.

[OptimusPrime]

ben vazgectim. mos sizlere omur olur diyorum. eminim. son kararim.

[superconductor]

G-S arasında mutlaka parazitik direnç vardır ve gs şarjını deşarj edecektir. Gs deki sızıntının miktarı üzerinden yorum yapılabilir.

[Zoroaster]

Gate Source direnci tera ohm mertebesindedir.

1M direnci de 10M yapayim ve sorumu aynen bir daha sorayim.

[RaMu]

Direnç deyip ters köşemi yapıyorsun acaba
belki GS direncini dielektrik malzeme diye düşünüp
30V kapasitöre 50V uygulamış olacağız.
(Bu mesajda anlatılanlar tamamen hayal ürünü olup gerçeklik payı taşıyabilir.)

[cetin1990]

100 Mohm yap. 1 sene beklesin. Zararlı bir şey olmaz. 1Mohm ile de olmaz.

[F.T]

Bişicikler olmaz.

[yesilu]

Bence delinir, biri hayrına denesin...

[Sozuak]

Yabancı kaynaklara baktım . Elbette buradaki gibi bir senaryo yok ama temel olarak Vgs  geriliminin maksimumunu biraz geçince bozulur deniyor.


...For example, a suitably high voltage applied between the gate and source (V[/size]GS[/size]) will break down the MOSFET gate oxide. Gates rated at 12 V will likely succumb at about 15 V or so; gates having a 20-V rating typically fail at around 25 V.[/size]All in all, exceeding the MOSFET voltage rating for just a few nanoseconds can destroy it. Device manufacturers recommend selecting MOSFET devices conservatively for expected voltage levels and further suggest suppressing any voltage spikes or ringing.

[cetin1990]

Akım yok, delinmez. Gerilim tek başına zararlı değil. 1 Mohm seri direnç ile şebekeye dokunun. Çarpılmazsınız.

[Sozuak]

O zaman 100 volt uygulayabiliriz yani gate ucuna nasıl olsa akım yok  yada 5000 volt potansiyele de dokunsak birşey olmaz bize hani yalıtkan delinmesi olayı olmaz diyorsunuz. Mosun gate ucundaki yalıtkan tabaka birkaç atom kalınlığındadır. Direnci ise çok yüksek haliyle gerilimin çoğu üzerine düşer. Bir yerde delinmesi gerekir. Verdiğim yazıda da maksimumun 3-5 volt yukarısı yalıtkanı deler deniyor.

[cetin1990]

Verdiğiniz bilgiler içinde akım sınırından seri 1Mohm direnişten bahsedildiğini göremedim