Vertical DMOS FET nedir..?

[M.Salim GÜLLÜCE]

N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET
Başlığıyla bazı ürünleri görüyorum.
Uzun zamandır kafamı kurcalayıp duruyordu.
Normal mosfetten farkları nedir...
Çalışma şartlarımı?
Yoksa üretim tekniğimi?
Örnek ürün linkini aşağıda veriyorum.
http://ww1.microchip.com/downloads/en/DeviceDoc/TN2130-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005944A.pdf

[asma]

Merhaba

Malzemeyi oluştururken işlem basamakları farkılı olduğu için farklı isim almış gibi gözüküyor.
Farkını , avantajını bilmem. Bazı kaynaklara bakıp yazıyorum ama ingilazcam gelişmediğinden ayrıntıyı anlamadım.
Alışık olduğumuz yöntem lateral diye geçiyor. Body denen gövde üzerine katmanlar oluşturulup bütün bağlantıları üstte bırakıyorlar. Vertical ise drain i alta koymuş amcam , üstüne harcı katmış , üste source ve gate uçlarını mum diker gibi eklemiş.
Kısaca vertikal üst üste inşa edilmiş , lateral düzlem (tepsi/tabak gibi) üzerine oluşturulmuş. Başka da bilmiyorum.

https://www.aldinc.com/pdf/IntroDepletionModeMOSFET.pdf

Kolay gelsin.

[OptimusPrime]

Gate yapisi V seklindeymis. Klasik fet e gore akim yatay degil dikine akiyormus. V seklinde olmasi iletim direncini azalttigindan daah yuksek akimlar icin uygunmus vsvs...

[M.Salim GÜLLÜCE]

Merhaba

Malzemeyi oluştururken işlem basamakları farkılı olduğu için farklı isim almış gibi gözüküyor.
Farkını , avantajını bilmem. Bazı kaynaklara bakıp yazıyorum ama ingilazcam gelişmediğinden ayrıntıyı anlamadım.
Alışık olduğumuz yöntem lateral diye geçiyor. Body denen gövde üzerine katmanlar oluşturulup bütün bağlantıları üstte bırakıyorlar. Vertical ise drain i alta koymuş amcam , üstüne harcı katmış , üste source ve gate uçlarını mum diker gibi eklemiş.
Kısaca vertikal üst üste inşa edilmiş , lateral düzlem (tepsi/tabak gibi) üzerine oluşturulmuş. Başka da bilmiyorum.

https://www.aldinc.com/pdf/IntroDepletionModeMOSFET.pdf

Kolay gelsin.

senin söylediklerinin üzerine Tamda aklıma geldi kii

Gate yapisi V seklindeymis. Klasik fet e gore akim yatay degil dikine akiyormus. V seklinde olmasi iletim direncini azalttigindan daah yuksek akimlar icin uygunmus vsvs...

Benden önce yazmış...
Daha geniş yüzey daha geniş source yüzeyi daha geniş geçiş alanı ve daha az direnç daha çok akım demektir sanırım.
Daha küçük kılıflarda daha yüksek güçlerin anahtarlanması mümkün gibi..

En azından benim anladığım bu oldu.

[OG]

http://ww1.microchip.com/downloads/en/DeviceDoc/TN2130-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005944A.pdf

Vgs oldukça düşük imiş, dikkate değer..