Mosfet Gate Driver

[mozkan87]

Mosfet gate sinyaline osiloskop ile bakarsanız gate tetiklenmeden  önce linear bölgede biraz oyalandığını görebilirsiniz. Aynı şekilde yük akımını ve mosfet akımını osiloskop ile gözlemlerseniz mosfet üzerinde ilk tetikleme anındaki voltaj düşümünü görebilirsiniz. Mosfetleri pwm ile kullanırken hızlı on off yapmak önemlidir. Eğer yükünüz küçük ve rezistif ise çok fazla takılmamakta gerekir. Ama değişen yükler bağlanıyorsa o zaman dikkat etmek lazım. Harcayacağınız 1-2 dolar size sonradan zaman olarak geri döner.

Aracı firma var onunla getirtiyorum.

Direnç, Sensör direnci.Devre Boost devresi.Çınlama yok. Acı da yok:)

Valla Sinyal aynı iken Mosfet niye ısınıyor anlamadım.
Belki Sinyalde farklılık oluyor da ben mi göremiyorum.
Ama Transistör ısınıyor,biraz beklesem yanacak.

[Endorfin35+]

Konu ile alakasiz ama mosfetin etrafindaki kondansatorler ne ise yariyor. Ozellikle D-S arasindaki?

[merve damar]

Sanırım o kondansatörler parazit almasın diye kullanılıyor. değerleri çok küçük oluyor. bu çeşit kondansatörler diyotlara da paralel bağlanıyor. bir takım emc testlerinden geçmesi için kullanılıyor büyük ihtimalle

[apsis]

Konu ile alakasiz ama mosfetin etrafindaki kondansatorler ne ise yariyor. Ozellikle D-S arasindaki?

Mosfetin yapısından dolayı oluşan doğal kapasiteleridir. Bunlardan C1 ve C2'den deplasman akımları akar. Bunlar anahtarlamalı devrelerin hesaplarında önemlidir.

[OG]

İlginç bir durum daha gördüm.
Gate Sürücü devreyi tamamen iptal edip Direkt olarak sürdüğümde
Sinyal Gayet güzel, tıpkı Push-Pull yapısındaki gibi.
Çalışmasında hiç bir Problem yok,Ama beslemeden çektiği Akım 1.4A'den 1.51A'e
çıkıyor.Mosfet ısınmaya başlıyor.Bu arada Mosfet Logic Gate Mosfetlerden.
Ne tuhaf bir şey anlamadım!Transistör dandik desem değil,Digikeyden aldım.

Gate voltajında H'a yükselirken ve L'a düşerken gecen süre uzamıştır muhtemelen, o bölgenin çoğu voltaj seviyesi (yukarıda da bahsedildiği gibi) linear bölge. Skopta görülebilir.

Alttakinden bahsetmiyorum, o durum sinyal bozulması.

[JOKERAS]

Konuya değerli fikirlerini yazan tüm arkadaşlara Teşekkür ederim.

1N4148 yerine Şotki diyot denedim,onda sinyal şekli biraz daha düzeldi ama
en ufak bir katkısı olmadı.Ne giriş Akımı ne çıkış akımı değişmedi.
Diyotlu yapı,Push-Pull Yapıya kıyasla çok daha Maliyetsiz oluyor.

Dün,Diyotlu yapıyı Çalıştırıp gittim.Kaç saatten beri sorunsuz çalışıyor.
Diyotlu yapıda R1 Gate Boşlatma direnç değerini biraz büyük tutmak gerekiyor.
68K - 100K arası direnç güzel oldu.Sinyali pek etkilemedi.
Direnç Değerini düşürürsem (Klasik 10K) Sinyal yamulmaya
başlıyor.R1 Direnci olmasada olurdu ama sistem ilk Enerjilendiğinde Mosfet
Gate Boşlatma garantisi için.Aksi taktirde Mosfetin High z
Kalma durumu oluşabiliyor.

Tekrar teşekkürler.

[z]

Hazir deniyorken diyoda paralel bir de kapasitor baglayiver.

[JOKERAS]

Gate voltajında H'a yükselirken ve L'a düşerken gecen süre uzamıştır muhtemelen, o bölgenin çoğu voltaj seviyesi (yukarıda da bahsedildiği gibi) linear bölge. Skopta görülebilir.

Alttakinden bahsetmiyorum, o durum sinyal bozulması.

Evet OG, öyle bir sıkıntı oluyor Scop ekranında görünmüyor,
İki Faklı yapı ile sinyalleri aynı anda görmek gerekir ama uğraşmadım.
Hiç Transistör kullanmadan direkt sürdüğümde Sinyalde çok küçük bir fark oluşuyor.
Bu kadar küçük fark Mosfetin ısınmasına sebep oluyor.
Görsel durum yanıltıyor.

Alttaki diyotlu yapıda sinyal Rampalı olmasına sorun olamadan çalışıyor.
Sanırım Mosfetin Lineer bölgesi ile doyum  noktası arasında kalan kısa bölge
Tam iletim kesim oluyor diye düşünüyorum.

Tamam z, hemen deniyorum.Değeri ne olsun?

[OG]

Şunu da denerdim,
Q1 'in
-baz ucunu pwm pinine alır
-emeterindeki direnci 0 yapardım.

[JOKERAS]

Şunu da denerdim,
Q1 'in
-baz ucunu pwm pinine alır
-emeterindeki direnci 0 yapardım.

Onları Denedim OG, hiç bir şey değişmiyor.

Hazir deniyorken diyoda paralel bir de kapasitor baglayiver.

z, Diyota paralel 47Nf ile 220Nf Kondansatörler denedim.
Sinyal Kare oldu, Ama Transistör hemen ısınmaya başladı.
Diyota Kondansatör ekleyince Sinyal Güzelleşiyor ama Mos ısınmaya başlıyor,
bu sayede bir şey daha keşfettim.

Sinyalin Sıfır Ofseti resmen yukarı kayıyor,Sinyal Level Shift oluyor.
Sinyalin Yukarı doğru Shift olması Sinyali güzelleştirirken sanırım bu sefer
PNP Transistörün Eşik seviyeside Offset oluyor,bu sebeple Mosfet Off Time
tam ara noktada kalıyor olmalıki Mos ısınmaya başlıyor.


 

[z]

O zaman 1nF civarini da deneyiver. Kritik bir kapasitor degeri civarinda optimum performans elde edilebilir. Ama duty orani degisiyorsa kapasitenin faydali oldugu duty araligi daralacaktir.

[JOKERAS]

z, 1NF-10Nf denedim Sinyalde pek bir değişiklik olmadı.
1N4148 Diyotun yerine tekrar Şotki diyot taktım,Daha önce dediğim gibi
Sinyal Rampası biraz daha düzeldi,ama Şotki takınca da Sinyalin Offseti yukarı
doğru değişiyor.Sanrım Bu değişim Şotki Eşiği Daha düşük olduğu için,yani PNP
Transistörün 0.7V eşiği ile uyum olmadığı için.Dolayısı ile OFF Time Zamanı biraz uzuyor herhalde.
Bunun için R1 Gate Boşaltma Direncinin değerini 4.7K yaptım Offset çok azda olsa Aşağı indi.
Isınma yok Sinyal fena değil.Transistör yerine P Kanal Mosfet koyarsam Sanırım
Tam süper olacak diye düşünüyorum.

Elimde P Mos yok, P Mos temin ettiğimde Şemayı editlediğim şekilde Yapacağım.
Şu an BJT Transistör olmasına rağmen Sinyal şekli ve Mosfetin çalışmasında sıkıntı yok.

[OG]

D1' komple kaldırıp
Q1'in bazını pwm ucuna verip
Q1' in emetor direncini 0R yapıp

denemek farklı sonuç verebilir.

[z]

Diyodu kaldirirsan pozitif darbeler Gate'e nasil ulasacak?

[JOKERAS]

D1' komple kaldırıp
Q1'in bazını pwm ucuna verip
Q1' in emetor direncini 0R yapıp

denemek farklı sonuç verebilir.

Hemen denedim OG,Diyotu iptal edince Mos anında Isınıyor.