Mosfet Gate Direnç Önemi

Başlatan rayman, 27 Mart 2020, 14:00:43

rayman

Bir uygulamada IRFP250 kullanıyorum. Gate direnci 100ohm. Bunuda ır2110 sürüyor. İç Direnci RDSON : 0.085OHM . Bunun yerine IRFP260 takıyorum ısı çok oluyor. Rdson iç direnci : 0.055 ohm. Yani daha düşük direnci değeri .Ir2110 çıkış sinyali fazlamı geliyor ? Yani 150 yerine 140 ohm direnç mi takmam lazım ? Yada nedir bu olay?


Yuunus

gate direnci nedir, gate'e seri bagli bir direnc mi? oyle ise hic olmasa daha iyi ama var ise de sizin degerler cok yuksek, bunun hesaplamasini anahtarlama freq gore yapabilirsin, cok yukse olursa gate voltajinin rise time suresi uzar buda linear bolgede fazla zaman harcatir ve mosfet tam iletime gecemez haliyle isinir, ama gate kapasitesi dusuk bir mosfet takarsan bu etki biraz daha az hissedilir ve isi az olur, Birde direncleri komple kaldir dene, 2110 bagli 3 adet IRFP 260 paralel bagli devrem var ama senin dedigin gibi bir isinma filan hic gormedim, 2110 bu konuda baya iyidir. ;)

M.Salim GÜLLÜCE

Alıntı yapılan: digiman - 27 Mart 2020, 17:08:13gate direnci nedir, gate'e seri bagli bir direnc mi? oyle ise hic olmasa daha iyi ama var ise de sizin degerler cok yuksek, bunun hesaplamasini anahtarlama freq gore yapabilirsin, cok yukse olursa gate voltajinin rise time suresi uzar buda linear bolgede fazla zaman harcatir ve mosfet tam iletime gecemez haliyle isinir, ama gate kapasitesi dusuk bir mosfet takarsan bu etki biraz daha az hissedilir ve isi az olur, Birde direncleri komple kaldir dene, 2110 bagli 3 adet IRFP 260 paralel bagli devrem var ama senin dedigin gibi bir isinma filan hic gormedim, 2110 bu konuda baya iyidir. ;)
Gate direncini tamamen kaldırmanın 2 sakıncası wardır.
1-Gate sürücüden anlık olarak aşırı akım çekeceğinden sürücüye hasar verir.
2-Anahtarlama geçişleri üzerinde aşırı gürültülü harmonikler oluşur

rayman

Bizim transistöerlimiz Linear değişkenlere maruz kalıyor. Yani Ani akımlara maruz kalabiliyor saniyeler içinde. Digital amplifikatörlerde kullanıyorum. Mesela IRFP4229 KULLANILIYOR bununda Gate direnci 10 ohm hep IR2110 arası. İç direnci ise 23mili ohm. Yani Irfp250 den çok yüksek.. Buna göre bu işlemler sadece diremç ile halledbilebilir mi ?

Yuunus

@rayman, sen gate direnci ile rds on direnci arasinda neden korelasyon kurmaya calisiyorsun anlamadim, gate direnci dedigin gate kapasitesinden oturu kullaniliyor, rds on direnciyle bir alakasi yok yani...ve transistorler madem linear bolgede calisacak ise ses amplifikatoru gibi o zaman neden 2110 kullaniyorsun, devren ne ise acikca yaz ona gore yorumlayalim boyle zor oluyor.

rayman

IRFP260 ve IRFP250 arasında  gördüğüm  temel farklari . anlattim. Rdson direnci ile alakali  değilse  ozaman  neden akım  çekiyor  ? Aradaki tek farklar akım  vede  gate direnci  farklari.   Daha ne olabilir  ki ?

z

Scopun yok mu?

Gate direncinin degisik degerleri icin Vgs ve Vds gerilimlerindeki dalga formuna bak.

En guzel dalga formunu bul.

Bana e^st de diyebilirsiniz.   www.cncdesigner.com

apsis

#8
Alıntı yapılan: rayman - 28 Mart 2020, 01:34:03IRFP260 ve IRFP250 arasında  gördüğüm  temel farklari . anlattim. Rdson direnci ile alakali  değilse  ozaman  neden akım  çekiyor  ? Aradaki tek farklar akım  vede  gate direnci  farklari.  Daha ne olabilir  ki ?

Arkadaşlar sana anahtarlama anında gate kapasitelerinden kaynaklanan (gate-source, gate-drain) bu kapasitelerin çektiği akımdan bahsediyor. Yani bu durumda Rds(on) direnci gate'i bağlamıyor.

Gate'e konulan yüksek bir direnç bahsettiğim kapasitelerin şarj sürelerini arttırır. Bu da anahtarlama frekansının düşmesine sebep olur. Ayrıca mosfetin self turn-on durumuna sebebiyet verebilir.

Hiç direnç koymamak kapasitelerin ilk şarj anında akımdan dolayı spike'lara sebebiyet vererek mosfet sürücüne zarar verebilir ve yük durumunda mosfetlerinde arıza oluşmasına neden olabilir. Yani kısacası bu dirençleri kafana göre koymak uygun olmaz. Mosfete göre hesaplanır.

İngilizce olarak mosfet gate direncini aratırsan ON-Semi, I&R, ROHM, Toshiba firmalarının uygulama notlarıyla karşılaşacaksın.

20kHz 12V gate-drive beslemesi için 20ohm çıkardım. Buna paralel ters bir bir hızlı diyot veya schottky diyot atıp ve gate direncini 10 - 20 ohm arası değiştirip gözlem yapabilirsin.
"Makineye Beyin" MEKATRONİK

M.Salim GÜLLÜCE

Alıntı yapılan: z - 28 Mart 2020, 07:34:14Scopun yok mu?

Gate direncinin degisik degerleri icin Vgs ve Vds gerilimlerindeki dalga formuna bak.

En guzel dalga formunu bul.


Alıntı yapılan: rayman - 28 Mart 2020, 01:34:03IRFP260 ve IRFP250 arasında  gördüğüm  temel farklari . anlattim. Rdson direnci ile alakali  değilse  ozaman  neden akım  çekiyor  ? Aradaki tek farklar akım  vede  gate direnci  farklari.   Daha ne olabilir  ki ?
Benim kafama yatmayan bişeyler war.
Analog devrede kullanıyorsan 2110 driver niye ve gate direnci niye..?
Lojinmi analogmu kullanılan devre o belli değil.

z

Bana e^st de diyebilirsiniz.   www.cncdesigner.com

M.Salim GÜLLÜCE

Alıntı yapılan: z - 29 Mart 2020, 10:27:57D sinifi amplifikator.
D sınıfı lojikmi analogmu hangisi demek?

power20

D sınıfı amplifikatörde mosfet süren çıkış 1 ve 0 oluyor. Pwm.

z

Analog sinyali aliyor digital olarak genligini ve gucunu yukseltiyor ve tekrar analog sinyale ceviriyor.
Bana e^st de diyebilirsiniz.   www.cncdesigner.com

M.Salim GÜLLÜCE

Alıntı yapılan: Kılıç - 30 Mart 2020, 13:49:39D sınıfı amplifikatörde mosfet süren çıkış 1 ve 0 oluyor. Pwm.
Yani devre dijital.
Ama analog gibi çalışıyormu diyelim.