Base jonksiyonu neden bozulmuyor?

[z]

1A transistorun beyz akimi max 100mA olsun.

Eger beyzden 200mA akitmaya kalkarsak emetor beyz jonksiyonu bozulur.

Transistorun ic yapisini hatirlarsaniz NPN bloklarinin diziliminden olusur.

iki bastaki blok emetor ve kollektordur. Ortadaki de beyz.

1A akim akitan transistorde, bu yapiya gore kollektor blogundan akan akimin emetor bloguna ulasabilmesi icin base blogundan gecmesi lazim.

200mA beyz akiminda bozulan transistor bu durumda 1A kollektor akimi akarken neden bozulmaz?

[Andromeda]

Hatırladığım kadarı ile akım kontrolu elektrik alanı ile oluyor.. akım yine ortadaki baz alanından(baz demeyelim de birleşim yeri diyelim) geçiyor ama kontrolu yapan bölge(baz dediğimiz) daha ufak.. eğer bu bölgeye yüksek akım verirsek bozulur doğal olarak..transistörün yapısı basit resimlerde gördüğümüz üçe bölünmüş dikdörtgen gibi bir yapı değilde daha karmaşıktır herhal..

[OG]

belkide,
base bölgesi, fiziksel olarak yalnızca bir temas yüzeyi kalınlığında,
o bölgeye yapılan base pin'i teması da çok dar, yani bas akımının deforme etmesi kolay oluyor.

[devrecii]

Elektronlar kollektörden direkt emitöre atlıyor base'e uğramıyor, bunu quantum dalga teorisi ile açıklıyorlar, zaten base ve kollektör birbirine karşı iletken değil doğru bağlantıda.

Elektron lambasında ise durum tamamen kaldıraç mantığı ızgaranın flamente ve anoda uzaklığı oranı sinyalin ne kadar kuvvetlneceğini belirliyor.

[Sozuak]

...

[aliveli]

elektron oyuk sirkülasyonu bozulmadığı için

[z]

Benim dusuncem de su sekilde;

Emetor yuzeyinin collektor yuzeyine baktigi alan kadar da base yuzeyi var.

Halbuki base maddesine yapilan metal kontak yuzeyi cok kucuk bu sebeple base malzemesine base bacagindan verilebilecek akim sinirli.

Haliyle kollektorle ayni akim yogunlugu bile kullanilsa basee akim verecek yuzey cok kucuk olacagindan kollektorden gelip base uzerine gecebikecek akima kiyasla bu akim cok daha dusuk olacaktir.

[CaFFeiNe]

Video incelenip fikir yürütülebilir, 3:00 da gayet güzel görüntü var

[M.Salim GÜLLÜCE]

Wafer işlem sırasında önce Collector sonra base sonrada base içinde küçük bir alan emitter olarak fırınlanır. aslında emitter yüzeysel olarak enküçük temas alanına sahiptir. Bu arada wafer içine başka kristalize yapı gömülerek yapılmaz.
N yada P materyalini oluşturacak maddenin olduğu buhar fırınlamasıyla N, P katmanları oluşturulması sağlanır.
Çekiçle çakılır gibi değil...
Kimyasal etkileşim alaşım yoluyla...

Base emitter arası zener özelliği taşır. Base akımı zenerin kesim değil iletim yönünde akar.
Ancak base collector arası aynı özelliği göstermez. Yüksek voltajlı sıradan diyot özelliği taşır.

Fakat Collector emitter arası birbirine ters bağlı bir zener bir diyot davranışı sergiler.
Base İletim yönünde elekton volt eşiğini aştığında ise...
Elektrik alan ilişkileri nedeniyle Base akımı nedeniyle oluşan tünel Collector akımını base üzerinden daha fazla akıtmaya müsait hale gelir.
Zaten Beta oluşmasını dabu tünel sayesinde kazanır.