Mosfet giriş direnci?

[Andromeda]

Bu hazır bir modül ve giriş voltajı olarak 3.3 - 5 volt deniyor..
12 V veya 15 V gibi genliği olan pwm sinyali vereceksem girişe 100 ohm taksam yeterli mi?
Modülde neden girişe bir direnç koymamışlar?

[HexfeT]

IRF520 dokümanına bakılırsa 3.3-5V gate gerilimi ile anahtar olarak düzgün çalışacak bir mosfet değil. RDSon direnci 0.27 Ohm ve bu değer 10V gate geriliminde sağlanabiliyor.

[Andromeda]

Şöylemi yapacağım o zaman;
pwm nin ortalama gerilimini
hesaplayıp 1 k direnç ile gerilim bölücü hesabından 10 V çıkacak gibi giriş direnci hesaplayacağım.

[Z80]

IRF520'nin VGS, yani Gate-Source voltajı +-20 Volt. Yani 20 Volttan fazla verirseniz mosfet bozulabilir.  Sizin voltajınız 12-15 arasında olduğu için herhangi bir gerilim bölücü yapmanıza gerek yok. Doğrudan bağlayın.

10 Voltun altında gerilim verirseniz, mosfet lineer bölgede çalışır bu da ısınmasına sebep olur. Yani 10-20 V arasındaki gerilimler sorun yaratmaz.

PWM ile sürecekseniz, gate direncinin değeri 10-22 Ohm arasını geçmesin. Aç-kapa yapacaksanız direncin 10K olmasında bile sorun yok.
   

[Andromeda]

Birşey daha soracağım,
%50 pwm nin ortalama değerinin 12V olması için 24 voltluk  dc gerilimi anahtarlamam gerekiyor. Kare dalga ortalama formülüne göre.. bu durumda
gate direncini 10-22 arasında seçmemin sakıncası var mı yoksa daha yüksek mi seçilir?
Data sına baktım ama birşey bulamadım yada ben göremedim..

[Z80]

Gate direncinin değeri ile PWM duty oranı arasında bir bağlantı yok. Yüksek frekanslı PWM ile sürülen mosfet, gate kapasitörleri yüzünden akım çeker, yani gate'in güçlü şekilde sürülmesi gerekir ki kapasiteler hızlı dolup-boşalsın. Düşük değerli gate dirençleri de bu yüzden konur, akım sınırlaması az olsun.

Düşük değerli, yani birkaç yüz Hertz PWM veya aç-kapada direncin büyük olmasının çok da bir önemi yok, çünkü gate'in çektiği akım nA seviyesinde. Siz BJT gibi düşünüyorsunuz ama öyle değil.   

Bu kapasitler katalogda CISS "Input capasitance" değeri ile gösterilir. IR520'de 360 pF.