Saturasyon voltajı

[z]

Örnek olarak NPN transistörü göz önüne alalım.

Kollektör ve Emetor arasında kalan P bölgesi N tipi emetör ile diyod oluşturur.

Silisyum bir diyod ileri yönde polarmalanırsa, jonksiyonda düşen gerilimin 0.6v civarında olduğu düşünülürse, saturasyondaki bir transistörün kollektör emetör voltajının 0.6 voltdan daha küçük olması nasıl açıklanabilir?

[a.zorba]

+ Veb gerilimi değilmi ?

[z]

Transistörden anlayan yok mu?

[cozturk]

Aslında şekilde görüldüğü gibi ters polarizasyonlu D1 diyot var. Nasıl oluyorda kollektör akımı geçebiliyor diyerek konuyu dallandırmak mümkün.


Burada transistör YARIiletkendir. direnç gibi düşünmemek lazım.

[e3]

Transistörden anlayan yok mu?

Var hocam niye bu kadar kızdınız? :lol: Demişsinizki VCE gerilimini bir diyot varmış gibi düşünüyorum ama 0,6 volttan nasıl 0,2 lere kadar düşüyor? Anlatmaya çalıştığınız bu mu? Buysa hemen açıklayalım::.
Hocam transistörün Beyz -Emiter arasını bir diyot gibi düşünebiliriz..Kollektör ve emiter arasını bir diyotmuş gibi düşünemeyiz..Sürekli değişken bir yapıya sahiptir çünkü.Hocam şimdi bir transistör doyum bölgesine girdikten sonra IC si hep sabit kalır(kabul edilir.)IC = ß.IB dir..IC hep sabit kalır, IB ise ne kadar artarsa artsın artık değişme olmaz hatta bi süre sonra tr yanar.ß zaten sabit bi değer(100-1000 arası kabul edilebilir.) IB akımı o kadar küçüktür ki IC ve IE nin yanında hesaplamalara dahil edilmeyebilir..Bu durumda IE = IC+IB idi..IB yi hesaba katmazsak IE=IC olur.
Transistörün beyz emiter ve kollektörüne birer seri direç bağladığımızı düşünelim.Devreye uygulanan gerilim VCC olsun.Bu durumda devremizin hesabını şöyle yapabiliriz:
VCC-Ic.Rc-VCE-Ie.Re=0 (Ic=Ie kabul ettik)
VCE = VCC - Ic.(Rc+Re) olur..İşte bu formüllerden hocam yerine değerleri koyarsanız bir bakmışsınız ki bir grafik çizmişsiniz..(Transistörün 1. Bölge karakteristiği olur kendileri.. :lol: )Bu grafiğe bakarakta VCE nasıl artıyor nasıl azalıyor kendiniz çıkarabilirsiniz..Karşı karşıya oturmuş olsaydık eminim daha açıklayıcı bir anlatım yapabilirdim.Ancak netten anca bu kadar anlatabiildim.. :? İnşallah işe yarar.. 8) İyi günler..

[z]

Cozturk

Senin sorunun cevabı basit (meslek lisesinde bu şekilde açıklanırdı) . Gerçi bu tip anlatımlar çok gerçekçi olmuyor ama;

Beyz Emetör jonksiyonu doğru polarmalandığında Beyz jonsiyonuna  kadar ulasmış elektronlar yüksek kollektor potansiyel etksinde kollektore ait N bolgesine hucum ediyor. Beyz polarması kesildiğinde Kollektör emetor arasındaki P engeli aşılamıyor. Ancak kollektor voltajını artırırsak bu engel aşılır ki transistör bu durumda elden gidiyor.

Şimdi bu senin sorunu açıklıyor, ancak açıklama şu soruda tıkanıyor.

Tamam beyz polarması neticesinde P bölgesine kadar gelen elektronlar yüksek kollektör potansiyelinden dolayı Kollektöre ait N bölgesine kaçıyor
ancak bu durumda kollektor emetor voltajı düştüğü için yüksek kollektör potansiyeli diye bir şey kalmıyor. Peki ozaman nasıl oluyor?

[cozturk]

boşver üzme kendini.

[AST]

selam üstadlar,

transistörün(NPN) yapısı;

Kollektör: N katkılı yarı iletken madde.Kesiti büyük, katkı miktarı fazla.
Base: P katkılı yarı iletken madde.Kesiti küçük(kollektöre oranı 150:1)
        ve katkı miktarı az(kolektöre göre 10:1 ve ya daha az)
Emiter: Kollektör'e yakın yapı (farkı kolektörden daha az katkılı olması)

Base bölgesi  serbest taşıyıcıların az olduğu bir bölgedir.Bu yüzden malzemenin iletkenliği burada düşüktür.
Emiter-base arasına ileri yönde polarma uygulandığında, çoğunluk akım taşıyıcıları  difüzyon(yayılma) yoluyla P tipi maddeye yani base bölgesine ulaşırlar.Bu anda bu taşıyıcıların Ib akımınamı yoksa kollektördeki N tipi
malzemeyemi geçecekleri söz konusudur.Arada kalan  P tipi madde iletkenliği
düşük olduğundan çok az sayıda taşıyıcı bu yol üzerinden base ucuna ulaşır ve burda bir gerilim düşümü olur(emiter-base arasında).Buradaki akım mikroamperler seviyesindedir.

Çoğunluk akım taşıyıcıların daha büyük kısmı difüzyon yoluyla ters ön gerilimli (kolektör) jonksiyon üzerinden N tipi maddeye geçecektir.Buradaki akım, base akımından daha fazladır. Bu da kollektör-emiter arasındaki voltajın azalmasına neden olur.Yani emiter kollektör kısa devre gibi düşünebiliriz.

[JohnF]

O kadar dallandırmaya gerek yok bence. En basit haliyle kollektör-emitör arası beyz akımına bağlı bir akım kaynağıdır. Kaldı ki AC çözümlerde model bu şekilde alınır.

[mcan]

ozaman  ilk olarak difüzyon kaynaklı bir akım söz konusu,yani poatansiyel fark haricinde bi elektron hareketi bulunuyor,emiter kollektör akımıda burada bulunan difüzyon elektronlarıyla sınırlanmış durumda ve bunun için e-k akımı e-b akımıyla doğrudan bağlantılı,akım kazanclarıda e-b akımından kaynaklanan düfüzyon elektronlarının sayısına bağlı....diye bi düşündüm bi araştırayım bakalım nasılmış ,önemli olan ne olduğundan çok nasıl olduğudur bana göre güzel bir soruymuş